新一代基于CMOSensTM技術的數(shù)字式溫濕度傳感器及應用
摘要:介紹了新一代基于CMOSensTM技術的單片全校準數(shù)字式相對溫濕度傳感器,該傳感器是一種將COMS芯片技術與傳感器技術結合在一起構成的高集成度、體積極小的濕度傳感器。文中對基于CMOSensTM技術的傳感器的技術特性,應用特性進行了詳細闡述。
關鍵詞:COMSensTM數(shù)字式溫濕度傳感器
1概述
當前,在自動化測試與控制領域中,溫濕度的測量獲得了越來越廣泛的應用,而在眾多的濕度測量方法中,電容式濕度測量法被普遍采用,電容式濕度測量法的原理是將薄膜電容附在不同材質(如玻璃、陶瓷等)上即可做出傳感元件,這種電介質是一個聚合體,它能通過一定比例的水吸收或釋放到相對環(huán)境溫度中來改變電容器的電容量,這種電容量的變化可以通過檢測電路來檢驗,這樣就得到了相對空氣濕度的數(shù)值。但是現(xiàn)有的基于電容式濕度測量的濕度傳感器普遍存在著以下的問題:
?、艠O低的長期穩(wěn)定性:由于電容式濕度傳感器產品都是被置于大氣環(huán)境下,必然會受到一定外部環(huán)境的影響,由于傳感器電容元件的尺寸較大,同時由于聚合體層的老化,使得這些傳感器在相同的外部環(huán)境下卻顯示出了完全不同的靈敏度,因此每一年的變化、即傳感器的年變化誤差已成為評價傳感器質量的重要標準,金屬電極的老化也會使?jié)穸鹊臏y量誤差增加;
?、茦O復雜的校準過程:使用前,電容式濕度傳感器必須經過一段復雜的校準處理過程,為了實現(xiàn)校準,用戶必須擁有復雜且價格昂貴的校準及參考系統(tǒng);
⑶模擬信號處理技術:電容式濕度測量的信號處理是基于模擬測量原理的,模擬測量還與電源電壓、環(huán)境溫度、傳感器的精度等因素有關,以上問題的解決均需要通過模擬電子電路來解決,因此不可避免的使成本增加,同時使得傳感器的互換性較差。
以上幾方面的問題給基于電容式的濕度測量帶來了諸多的不便。為了使眾多的濕度傳感器能夠互換使用,同時又能降低成本而不影響傳感器的質量,瑞士Sensirion公司將CMOS芯片技術與傳感器技術結合起來,推出了基于智能傳感器理念的CMOSensTM技術的溫濕度傳感器。兩種技術的結合發(fā)揮出了巨大的優(yōu)勢互補作用。
2技術特性
2.1基于CMOSensTM傳感器性能特點
SHT15是一款基于CMOSensTM技術的由多個傳感器模塊組成的單片全校準數(shù)字輸出的相對濕度和溫度傳感器,它采用了特有的工業(yè)化CMOS技術確保了極高的可靠性和卓越的長期穩(wěn)定性,整個芯片包括經校準的相對濕度和溫度傳感器,它們與一個14位的A/D轉換器相連,每一個傳感器都是在精確的溫室中進行校準的,校準系數(shù)預先存在OTP內存中,在測量校準的全過程都要用到這些系數(shù),二線串行I2C總線接口支持簡單、快速的系統(tǒng)集成。SHT15傳感器的特點如下:
?、湃蕯?shù)字輸出,相對濕度、溫度傳感器;
?、茰囟戎捣直媛蕿?4位,濕度值分辨率為12位,可編程降至12位和8位;
?、蔷哂新饵c計算輸出功能;
⑷無需外圍元件;
⑸小體積(7×5×3mm),可表面貼裝;
⑹卓越的長期穩(wěn)定性;
?、俗詣訑嚯姽δ?;
⑻工業(yè)標準I2C總線接口;
?、涂煽康腃RC傳輸校驗。
傳感器的相對濕度絕對精度如圖2(a)所示,溫度精度如圖2(b)所示,25℃露點精度如圖2(c)所示。
SHT15傳感器的性能參數(shù)見表1。
2.2傳感器信號輸出
?、艥穸戎递敵?/p>
SHT15可通過I2C總線直接輸出數(shù)字量濕度值,其相對濕度數(shù)字輸出特性曲線見圖3。
由圖3數(shù)字輸出特性曲線可以看出,SHT15的輸出特性呈一定的非線性,為了補償濕度傳感器的非線性以獲取準確數(shù)據,可按如下公式修正濕度值:
RHlinear=c1+c2·SORH+c3·SORH2(1)
式中SORH為傳感器相對濕度測量值,系數(shù)取值如下:
12位SORH:c1=-4c2=0.0405c3=-2.8*10-6
8位SORH:c1=-4c2=0.648c3=-7.2*10-4
?、茰囟戎递敵?/p>
由設計決定的SHT15溫度傳感器的線性非常好,故可用下列公式將溫度數(shù)字輸出轉換成實際溫度值:
溫度=d1+d2*SOT
(a)相對濕度絕對精度
(b)溫度精度
(c)露點精度
圖2SHT15相對濕度、溫度和露點精度
當電源電壓為5V、溫度傳感器的分辨率為14位時,d1=-40,d2=0.01,當溫度傳感器的分辨率為12位時,d1=-40,d2=0.04。
⑶露點計算
空氣的露點值可根據相對濕度和溫度值由下面的公式計算。
LogEW=(0.+7.5*T/(237.3+T)+(log10(RH)-2)
Dp=((0.-logEW)*237.3)/(logEW-8.)
2.3命令與接口時序
SHT15傳感器共有5條用戶命令.
下面介紹一下具體的命令順序及命令時序。
?、艂鬏旈_始
初始化傳輸時,應發(fā)出“傳輸開始”命令,命令包括SCK為高時,DATA由高電平變?yōu)榈碗娖?,并在下一個SCK為高時將DATA升高。
后一個命令順序包含三個地址位(目前只支持“000”)和5個命令位,通過DATA腳的ack位處于低電位表示SHT15正確收到命令。
?、七B接復位順序
如果與SHT15傳感器的通訊中斷,下列信號順序會使串口復位:
當使DATA線處于高電平時,觸發(fā)SCK9次以上(含9次),并隨后發(fā)一個前述的“傳輸開始”命令。
?、菧貪穸葴y量時序
當發(fā)出了溫(濕)度測量命令后,控制器就要等到測量完成。使用8/12/14位的分辨率測量分別需要大約11/55/210毫秒。為表明測量完成,SHT15會使數(shù)據線為低,此時控制器必須重新啟動SCK。然后傳送兩字節(jié)測量數(shù)據與1字節(jié)CRC校驗和??刂破鞅仨毻ㄟ^使DATA為低來確認每一字節(jié),所有的量中從右算MSB列于第一位。通訊在確認CRC數(shù)據位后停止。如果沒有用CRC-8校驗和,則控制器就會在測量數(shù)據LSB后,保持ack為高來停止通訊,SHT15在測量和通訊完成之后會自動返回睡眠模式。需要注意的是,為使SHT15溫升低于0.1℃,則此時工作頻率不能大于15%(如:12位精確度時,每秒最多進行3次測量)。
測量溫度和測量濕度命令所對應的時序如圖4所示。
3應用設計
3.1硬件接口電路設計
這里以AT89C2051單片機為例給出SHT15與單片機的接口電路如圖5所示。
由于AT89C2051不具備I2C總線接口,故使用單片機通用I/O口線來虛擬I2C總線,利用P1.0來虛擬數(shù)據線DATA,利用P1.1口線來虛擬時鐘線,并在DATA端接入一只4.7K的上拉電阻,同時在VDD及GND端接入一只0.1μf的去耦電容。
3.2非線性校正及溫度補償
公式(1)給出的相對濕度的非線性補償計算公式,對于單片機系統(tǒng)而言,由于計算量大而過于復雜,下面給出簡化的計算方法。
為了避免復雜的計算工作量,可根據系統(tǒng)要求的測量精度分別采用以下的小計算量修正算法。
?、啪€性
當系統(tǒng)對濕度測量精度要求不高時,可采用以下的線性計算公式。
RHsimple=c1+c2·SORH
這里c1=0.5;c2=0.5
?、?*線性
當系統(tǒng)對濕度測量精度要求較高時,可采用以下的2*線性計算公式,即用最小的計算復雜性來提高精確度。
RHreal=(a*SO+b)/256
這里的SO表示8位濕度傳感器輸出濕度值,當0≤SO≤107時,a=143,b=512,當108≤SO≤255時,a=143,b=512。
?、菧囟妊a償
上述濕度計算公式是按環(huán)境溫度為25℃進行計算的,而實際的測量溫度值則在一定的范圍內變化,所以應考慮濕度傳感器的溫度系數(shù),按如下公式對環(huán)境溫度進行補償。
RHtrue=(T℃-25)·(t1+t2·SORH)+RHlinear
當SORH為12位時t1=0.01;t2=0.,當SORH為8位時,t1=0.01;t2=0.。
3.3高級應用
SHT15一些高級功能可通過控制內部寄存器狀態(tài)獲得,內部狀態(tài)寄存器為8位,各位的類型及含義如表3所示。
?、偶訜峥刂?/p>
使傳感器芯片中的加熱開關接通,傳感器溫度大約增加5℃,這會使能耗增加至8mA@5v,加熱用途如下:
通過對啟動加熱器前后的溫、濕度進行比較,可以正確地區(qū)別傳感器的功能;
在相對濕度較高的環(huán)境下,傳感器可通過加熱來避免冷凝。
?、频碗妷簷z測
SHT15的工作極限功能可以檢測VDD電壓是否低于2.45V,準確度為±0.1V。
?、窍螺d校準系數(shù)
為了節(jié)省能量并提高速度,OTP在每次測量前都要重新下載校準系數(shù),每一次測量都會節(jié)省8.2毫秒。
?、葴y量分辨率設定
可以將測量分辨率由14位(溫度)、12位(濕度)分別減少到12位和8位。主要應用于高速或低功耗場合。
4結束語
CMOSensTM技術是一種全新的基于智能傳感器設計理念的新技術,該技術將溫度傳感器、濕度傳感器、信號調理、數(shù)字變換、串行數(shù)字通信接口、數(shù)字校準全部集成到一個高集成度、體積極小的芯片當中,極大的方便了溫濕度傳感器在嵌入式測控領域的應用,同時該傳感器也代表了傳感器技術的發(fā)展方向。
參考文獻
[1
[2]NewgenerationdigitaltemperatureandhumiditysensorbasedonCMOSensTMtechniqueanditsapplication
MengchenLimin(Informationtechnologycollegeofheilongjiangaugustfirstlandreclamationuniversity)
Abstract:Thispaperintroducesanewgenerationsingle-chipwholecalibrationdigitalcomparativelytemperatureandhumiditysensorbasedonCMOSensTMtechnique.BecauseofintegratingtheCMOSensTMchipandsensortechnique,thesensorhashighintegrationandinfinitesimalcubage.Theproblemthatexistsinthetemperatureandhumiditysensorbasedoncapacitanceisfirstanalyzed,thetechniqueandapplicationcharacteristicsofthesensorbasedonCMOSensTMtechniquearealsoparticularlyexpoundedonthepaper.
Keywords:CMOSensTMdigitaltemperatureandhumiditysensor
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